HOME

شبیه سازی مقاله Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers در سیلواکو

  • سه شنبه 3 تیر 1399
  • double junction Solar Cell Simulation - Silvaco
    طی بررسی‌های انجام شده، تا سه دهه آینده به 10 تا 30 تراوات انرژی پاک در سال نیازمندیم. در حال حاضر، مصرف انرژی در جهان تقریباً 12 تا 13 ترا وات در سال است. انرژی خورشیدی که در مدت یک ساعت به سطح زمین می‌رسد می‌تواند تقاضای انرژی جهان را به مدت یک سال تأمین کند. با رشد جمعیت، تقاضای انرژی در حال افزایش است و منابع سوخت‌های فسیلی کاهش یافته‌اند که این انگیزه بسیار مناسبی برای تحقق و توسعه انرژی‌های تجدید پذیر خواهد بود. با وجودیکه سهم انرژیهای تجدید پذیر در برابر انرژی‌های فعلی بسیار ناچیز است اما پیش‌بینی می‌شود که این فناوری نوظهور بطور قابل توجهی انرژی آینده جهان را تولید کند. برای تولید بخش بزرگی از انرژی مورد نیاز جهان، سلول‌های خورشیدی نیاز به بهبود بیشتری دارند تا بتوانند جایگزین مناسبی برای انرژی‌های فسیلی و هسته‌ای شوند. 
    در این فایل، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان Improving the performance of a multi-junction solar cell by optimizing BSF, base and emitter layers ارائه شده است. یک فایل راهنمای جامع در قالب ورد و پی دی اف  نیز جهت آموزش کدها ارائه شده است. در کنار این فایل ها، دو فایل آموزشی ویدیویی با کیفیت بالا از نحوه اجرای کدها تهیه شده که به یادگیری نحوه اجرا و جواب گرفتن از نمودار های مختلف کمک می کند. 
    در این پژوهش، ساختار مطلوب سلول خورشیدی دو پیوندی با یک پیوند تونلی InGaP/InGaP، یک لایه بافر در سلول پایینی، دو لایه BSF در سلول بالایی و یک لایه امیتر جدید در ساختار ارائه شده است. سلول شبیه سازی شده با استفاده از Silvaco Atlas جهت بدست آوردن عملکرد بهتر، بهینه‌سازی شده و مقادیر ولتاژ مدار باز (VOC)، چگالی جریان اتصال کوتاه (JSC)، ضریب پری (FF) و بازده تبدیل (η) آن، محاسبه شده و نمودارهای نهایی نمایش داده شده اند. 

جزوه پردازش سیگنال دیجیتال (DSP)

  • سه شنبه 3 تیر 1399
  • جزوه پردازش سیگنال دیجیتال (DSP)
    پردازش سیگنال دیجیتال (Digital Signal Processing, DSP) به پردازش دیجیتالی سیگنال‌های گسسته در زمان گفته می‌شود. این کار به وسیله کامپیوتر یا پردازنده‌های سیگنال دیجیتال انجام می‌شود. پردازش سیگنال دیجیتال (گسسته) و پردازش سیگنال پیوسته، زیرمجموعه‌هایی از پردازش سیگنال هستند. از کاربردهای DSP می‌توان به پردازش صوت (Audio processing)، پردازش سیگنال صحبت (Speech processing)، پردازش سیگنال‌های سونار و رادار، پردازش سیگنال آرایه‌های حسگر، پردازش تصویر دیجیتال، پردازش سیگنال‌های مخابراتی، کنترل سیستم، پردازش سیگنال‌های بیولوژیک اشاره کرد.

    هدف DSP، معمولاً اندازه‌گیری، فیلتر و فشرده‌سازی سیگنال‌های پیوسته (آنالوگ) دنیای واقعی است. اولین قدم در این راه تبدیل سیگنال از شکل آنالوگ به دیجیتال است، که به وسیله نمونه برداری توسط مبدل آنالوگ به دیجیتال (ADC) انجام می‌شود. وظیفه مبدل مذکور تبدیل سیگنال آنالوگ به رشته‌ای از اعداد است. اما، از آنجا که معمولاً سیگنال خروجی در سیستم مورد نظر باید به صورت یک سیگنال آنالوگ باشد، در آخرین گام پردازش، به یک مبدل دیجیتال به آنالوگ نیاز خواهیم داشت. حتی اگر این پردازش از پردازش آنالوگ بسیار پیچیده‌تر باشد، پردازش سیگنال دیجیتال، مزایای بسیاری را نسبت به پردازش آنالوگ در زمینه‌های مختلف به ارمغان می‌آورد؛ تشخیص و تصحیح خطا در انتقال و همچنین فشرده‌سازی داده مثال‌هایی از برتری استفاده از روش‌های پردازش سیگنال گسسته هستند.

    این جزوه پردازش سیگنال دیجیتال شامل سر فصل های زیر است:

    فصل اول: سیگنال ها و سیستمهای زمان گسسته
    فصل دوم: تبدیل Z
    فصل سوم: نمونه برداری از سیگنالهای زمان پیوسته
    فصل چهارم: تحلیل تبدیلی سیستمهای خطی تغییر ناپذیر با زمان
    فصل پنجم: ساختارهایی برای سیستم های زمان گسسته
    فصل ششم: تکنیک های طراحی فیلتر
    فصل هفتم: تبدیل فوریه گسسته
    فصل هشتم: محاسبه تبدیل فوریه گسسته
    فصل نهم: تبدیل فوریه سیگنالها با استفاده از تبدیل فوریه گسسته
    فصل دهم: تبدیل هیلبرت گسسته

شبیه سازی مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer در سیلواکو

  • جمعه 30 خرداد 1399
  • شبیه سازی مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer در سیلواکو
    لایه BSF بهینه سازی شده و کارآمد مهمترین لایه سلول های خورشیدی تک پیوندی و دو پیوندی می باشد. در این پژوهش بکار بردن دو لایه BSF برای سلول بالایی با ضخامت های مختلف روی سلول خورشیدی دو پیوندی GaInP/GaAs با استفاده از محاسبات مدلسازی عددی در سیلواکو بررسی شده است. جزییات نرخ فتوجنریشن تعیین شده و مراحل اصلی مدلسازی شرح داده شده است و نتایج شبیه سازی با داده های تجربی منتشر شده به منظور توصیف دقت و صحت نتایج ما تولید شده اند. برای این ساختار سلول خورشیدی بهینه شده، ماکزیمم JSC=17.33 mA/cm2، VOC=2.66 V و FF=88.67% تحت روشنایی AM1.5G بدست آمده و حداکثر راندمان تبدیل 34.52% (1 sun) و 39.15% (1000 suns) بدست آمده است.

    آنچه خواندید بخشی از چکیده مقاله Efficient InGaP/GaAs DJ solar cell with double back surface field layer بود. مقادیر بدست آمده در شبیه سازی ها توسط سیلواکو بسیار نزدیک به مقادیر بدست آمده در مقاله هستند. همچنین تمامی نمودارها در اینجا قابل مشاهده هستند.

دانلود رایگان نرم افزار سیلواکو 2014 (silvaco 2014)

  • جمعه 30 خرداد 1399
  • دانلود نرم افزار سیلواکو 2014 (silvaco 2014)
    سیلواکو یک نرم افزار بسیار قدرتمند برای شبیه سازی ادوات نیمه هادی و نمایش انواع مشخصه های افزاره های مختلف می باشد. شرکت سیلواکو به‌صورت تخصصی روی نرم افزار شبیه‌سازی با هدف پوشش کامل تمام جنبه‌های مدرن طراحی الکترونیک، کار می‌کند. این شرکت در ابزار TCAD، امکان مدلسازی و شبیه سازی قابلیت‌های مدلسازی و شبیه‌سازی مدرن مدارات الکترونیک را با در نظر گرفتن جزئیات مربوط به ساخت VLSI فراهم می‌آورد. یک محیط کاربرپسند برای انجام طراحی و به‌کارگیری تعداد زیادی از گزینه‌های مختلف که برای ایجاد مدل‌های پیچیده و مشاهده سه بعدی ساختارها ارائه شده، با کمک ابزارهای ارائه شده در سیلواکو می‌توان پدیده‌های مختلفی از جمله هدایت الکتریکی، تحلیل حرارتی، تشعشعات و اثرات لیزر را مدل کرد. انواع زیادی از فرایندهای رشد لایه‌های نیمه‌هادی و خواص مواد (مانند قابلیت تحرک، پارامترهای بازترکیب، ضرایب یونیزاسیون و پارامترهای نوری) ارائه می‌شوند تا یک شبیه‌سازی دقیق انجام پذیرد. شبیه‌ساز ATLAS مجموعه‌ای کامل از ابزارهای پیشرفته جهت تحلیل دو بعدی و سه بعدی ادوات نیمه‌هادی است. علاوه بر این، با دارا بودن چکیده‌ای از تمام جزئیات ساخت موجب می‌شود تا طراح بتواند روی طرح واقعی نیز متمرکز شود.

شبیه سازی مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/AlGaInP DJ solar cell

  • جمعه 30 خرداد 1399
  • شبیه سازی مقاله Design and evaluation of ARC less InGaP/AlGaInP DJ solar cell
    در این فایل، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان Design and evaluation of ARC less InGaP/AlGaInP DJ solar cell ارائه شده است. یک فایل راهنمای جامع در قالب پی دی اف نیز جهت آموزش کدها ارائه شده است. در کنار این فایل ها، یک فایل آموزش ویدیویی با کیفیت بالا از نحوه اجرای کدها تهیه شده که به یادگیری نحوه اجرا و جواب گرفتن از نمودار های مختلف کمک می کند.

    در این پژوهش، ولتاژ مدار باز بسیار بالایی در ساختار سلول خورشیدی مبتنی بر GaInP/GaAs با استفاده از نیمه هادی AlGaInP به جای GaAs بدست آمده است. زیرا این ماده شکاف باند بزرگتری نسبت به GaAs دارد. ساختار بهینه شده دارای تراکم ناخالصی 2e19 و 2e17 برای نیمه هادی های نوع p و n بوده و ضخامت نواحی p و n آن به ترتیب 0.5 و 3.0 میکرومتر می باشد. در این مقاله، سلول شبیه سازی شده با استفاده از Silvaco Atlas جهت بدست آوردن عملکرد بهتر، بهینه‌سازی شده و مقادیر ولتاژ مدار باز (VOC)، چگالی جریان اتصال کوتاه (JSC)، ضریب پری (FF) و بازده تبدیل (η) آن، محاسبه شده و نمودارهای نهایی نمایش داده شده اند.

    در این مدل پارامترهای نرخ تولید نوری و میدان الکتریکی نیز مورد بررسی قرار گرفته اند. مقادیر FF، JSC ،VOC و EFF در مقاله برابر 3.347، 1.759، 90.09 و 53.51 و در فایل شبیه سازی شده برابر 3.39، 1.79، 91.03 و 53.06 بدست آمده اند که مقادیری بسیار مشابه مقادیر بدست آمده در مقاله می باشند. همچنین جهت مشاهده نمودارهای بدست آمده توسط این شبیه سازی می توانید از این لینک دیدن نمایید. 

گزارش 4 فصلی شبیه سازی سلول خورشیدی در سیلواکو

  • جمعه 30 خرداد 1399
  • فایل گزارش 4 فصلی شبیه سازی سلول خورشیدی در سیلواکو
    طی بررسی‌های انجام شده، تا سه دهه آینده به 10 تا 30 تراوات انرژی پاک در سال نیازمندیم. در حال حاضر، مصرف انرژی در جهان تقریباً 12 تا 13 ترا وات در سال است. انرژی خورشیدی که در مدت یک ساعت به سطح زمین می‌رسد می‌تواند تقاضای انرژی جهان را به مدت یک سال تأمین کند. با رشد جمعیت، تقاضای انرژی در حال افزایش است و منابع سوخت‌های فسیلی کاهش یافته‌اند و این انگیزه بسیار مناسبی برای تحقق و توسعه انرژی‌های تجدید پذیر خواهد بود. با وجودیکه سهم انرژیهای تجدید پذیر در برابر انرژی‌های فعلی بسیار ناچیز است اما پیش‌بینی می‌شود که این فناوری نوظهور بطور قابل توجهی انرژی آینده جهان را تولید کند. برای تولید بخش بزرگی از انرژی مورد نیاز جهان، سلول‌های خورشیدی نیاز به بهبود بیشتری دارند تا بتوانند جایگزین مناسبی برای انرژی‌های فسیلی و هسته‌ای شوند.

    این گزارش در 4 فصل مقدمه - ساختار سلول های خورشیدی - شبیه سازی سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs و نتیجه گیری و پیشنهاد ارائه شده و بطور جامع همه چیز را در خصوص این نوع از سلول های خورشیدی توضیح می دهد. در گزارش ارائه شده شده روند کار به صورت زیر است:
    - بررسی ساختار سلول خورشیدی، خصوصیات هر لایه به صورت مجزا و روابط حاکم بر ساختار
    - شبیه‌سازی سلول خورشیدی دو پیوند در نرم افزار Silvaco 
    - بررسی ساختار شبیه سازی شده و نمایش نتایج همراه با مقایسه نتایج بدست آمده با سایر مقالات مشابه
    - نتیجه گیری و پیشنهاد جهت ارتقای راندمان افزاره شبیه سازی شده

    فهرست مطالب مندرج در گزارش:
    فصل اول
    - مقدمه
    - هدف و ضرورت تحقیق
    - مرور منابع
    - روش انجام کار
    - نوآوری
    - روال انجام پژوهش
    فصل دوم
    - مقدمه
    - طبقه بندی مواد
    - میزان آلایش و هدایت نیمه هادی ها
    - پیوند PN
    - نحوه عملکرد سلولهای خورشیدی چند پیوند
    - مواد به کار رفته در سلول های خورشیدی چند پیوند
    - ساختار سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs
    -- بررسی ساختار
    -- لایه های مختلف سلول خورشیدی
    - طیف تابشی
    - پارامترهای عملکرد
    -- جریان اتصال کوتاه (ISC)
    -- ولتاژ مدار باز (VOC)
    -- ضریب پری (FF)
    -- بازده (η)
    فصل سوم
    - مقدمه
    - بازتولید
    - تابش نور با طیف AM.G
    - نتایج و بحث
    - مقایسه عملکرد
    فصل چهارم
    - نتیجه گیری
    - پیشنهادها

تنها منبع راهنمای کامل فارسی مهاجرت به کانادا و کشورهای دیگر

  • جمعه 30 خرداد 1399
  • تنها منبع راهنمای کامل فارسی مهاجرت به کانادا و...
    این مجموعه در جهت کمک برای عزیمت و زندگی در کانادا جمع آوری گردیده است. در بخشهای ابتدایی این مجموعه راهنمایی هایی برای شما جهت آماده سازی چمدان ها وجود دارد که قدم به قدم به شما در تهیه ی مدارک، اسناد، مواد خوراکی، پوشاک و... که به ضرورت همراه داشتن آنها (توسط هموطنانی که قبل از این به کانادا سفر کرده اند تاکید شده) کمک می کند.
    همچنین تلاش نموده ایم به طور خلاصه اقدامات و کارهایی که باید در ایران و قبل از عزیمت به کانادا انجام دهید را در این مجموعه بگنجانیم.
    در ادامه لیستی از اقدامات اولیه که افراد دارای PR باید پس از اولین لند خود انجام دهند و مراکزی که باید به آن مراجعه کنند گنجانده شده است.
    همچنین اطلاعاتی در مورد نحوه ی اجاره کردن خانه، اخذ گواهی نامه و ... به طور خلاصه و کلی ارائه شده است.
    در آخر هم به چند نکته پراکنده مربوط به شهر ساسکاتون (واقع در استان ساسکاچوان) که حاصل تجربه ی شخصی هموطنان می باشد اشاره شده است.

    این مجموعه شامل 5 فصل و 68 صفحه بوده و موضوعات زیر را در بر می گیرد:

    مقدمه
    فصل اول
    لیست مدارک، وسایل، پوشاک و ... که باید با خود ببریم
    چمدان ها، ساک دستی (کری آن) و کوله
    مواد غذایی
    وسایل برقی
    وسایل آرایشی و بهداشتی
    پوشاک
    وسایل آشپزخانه
    وسایل خواب
    لوازم تحریر و کتاب
    وسایل متفرقه، یادگاری ها و سایر وسایل ضروری
    ست خیاطی
    داروها
    داروهای کودکان و نوزادان
    سایر داروهایی که هموطنان بدون مشکل با خود برده اند
    فریت بار
    مدارکی که باید با خود به کانادا ببریم
    1- دلار
    2- نامه سابقه ی کار
    3- جمع آوری مدارک بیمه ی خودرو
    4- گواهی نامه
    5- شناسنامه/کارت ملی/ کارت پایان خدمت/ سند ازدواج
    6- کارت بانک های ایران
    7- پاسپورت های قدیمی
    8- برگه ی مدرک آیلتس
    9- مدارک تحصیلی
    10- مدارک مربوط به بارهای فریت شده
    11- مدارک مربوط به لندینگ
    12- دریافت توکن بانکی (دستگاه رمز ساز بانکی)
    13- مدارک واکسیناسیون
    14- مدارک دندان پزشکی
    15- سوابق پزشکی
    16- نسخه های دارویی
    فصل دوم
    کارها و اقداماتی که باید قبل از عزیمت به کانادا انجام دهیم
    1- ارسال مدارک برای دریافت ویزا و برگه های لندینگ
    2- چکاپ دندان پزشکی
    3- چکاپ پزشکی
    4- آزمایش خون
    5- سونوگرافی از ناحیه ی شکم
    6- پزشک زنان
    7-  فریت بار
    8-  بیمه ی مسافرتی
    9- تسویه ی بدهی های دولتی
    10- تسویه ی قبوض
    11- تهیه ی مدارک تحصیل بچه ها به کانادا
    12- امور مربوط به کارتهای بانکی
    13- ثبت ایمیل در سامانه ی ثنا در دادگستری
    14- جمع آوری بیمه ی خودرو
    15- خرید بلیط هواپیما
    16- اجاره ی مسکن موقت برای سکونت اولیه ی شما
    17- تهیه ی نسخه ی پزشکی
    18- ساخت پروفایل در لینکدین
    19- ساخت پروفایل در سایت های کاریابی
    20- شرکت در دوره های رایگان و آنلاین برای نیوکامرها
    21- فروش اموال و تهیه ی دلار
    22- نرم افزارها
    23- پرداخت عوارض خروج
    24- جمع آوری مدارک تحصیلی
    25- شناسایی pre arrival service ها
    26- وکالت تام الاختیار به یک فرد معتمد در ایران
    27- تهیه ی گواهی عدم سوء پیشینه
    28- شناسایی Welcome Centre
    29- محتویات کیف همراه در هواپیما
    30- محتویات Carry On Bag
    31- فرم های B4 & B4a و Declaration Card
    32- لیست وسایلی که بعدا با پست یا فریت می خواهیم به کانادا بیاوریم
    33- تهیه ی بلیط هواپیما
    مواردی که در آنها نیاز به ویزای ترانزیت و یا شنگن دارید
    اجاره منزل موقت
    منابع جستجو برای خانه های اجاره ای)اسکان موقت یا دائم) در کانادا
    فصل سوم
    چند نکته در مورد روز عزیمت به کانادا
    فصل چهارم
    کارهایی که باید در روزهای اول اقامتمان در کانادا انجام دهیم
    1- یک روز استراحت ورفع خستگی
    2- شناخت کلی از محله ای که در آن سکونت موقت دارید و پیدا کردن مسیرهای اتوبوس و فروشگاهها
    3- گرفتن شماره بیمه ی اجتماعی معروف به SIN
    4- باز کردن حساب بانکی
    5- اقدام برای دریافت مزایای مالیات فرزندان CHILD TAX BENFIT برای فرزندان زیر نوزده سال
    6- شناسایی نزدیکترین مراکز ارائه ی خدمات درمانی محلی
    7- تبدیل دلارهای آمریکایی به کانادایی
    8- تهیه ی نقشه ی مسیر حرکت اتوبوس ها و تهیه ی کارت اتوبوس
    9- ثبت نام در دوره های رایگان مراکز مختلف )زبان  /رزومه نویسی/  کاریابی/  کارهای داوطلبانه و ...)
    10-  شناسایی نزدیک ترین مراکز کاریابی و ثبت نام در آنها
    11- کسب اطلاعات در مورد شرایط قرار داد های کاری و منزل و حقوق مستاجر و کارمندی و ...
    12- اقدام برای ثبت نام فرزندان در مدارس یا مهد کودک ها
    13- تهیه ی نقشه ی شهر
    فصل پنجم
    پاسخ به چند سوال کلیدی نیوکامرها در مورد انواع حسابها، بانکها و ...
    الف. در چه بانکی حساب باز کنیم؟
    ب. چه نوع حسابی باز کنیم؟
    ج. حساب مشترک بین زوجین باشد یا هرکی حساب خودش رو داشته باشد؟
    نکاتی در مورد ثبت نام در مدرسه یا مهدکودک
    1- انواع daycare
    2- مدرسه
    3- high school کلاس نهم تا ۱۲
    توضیحاتی در مورد kindergarten
    سال تحصیلی
    جدول قیمت بعضی از وسایل برقی و مواد خوراکی جهت آشنایی با حدود قیمت ها در کانادا
    گوشی موبایل
    شلنگ توالت
    جدول فروشگاهای کانادا به تفکیک نوع کالاهایی که در آنها عرضه می شود
    نقشه ی راهنما جهت مسیر یابی مراکز کاربردی برای newcome ها
    نقشه ی کمکی شهر رجاینا
    نقشه ی کمکی شهر ساسکاتون
    نقشه ی کمکی شهر تورنتو
    سخن آخر
    ضمیمه
    مراحل دریافت گواهی نامه در ساسکاچوان
    پروسه ی گرفتن گواهی نامه برای کسانی که سابقه ی حداقل ۲ سال رانندگی دارند
    امتحان کتبی
    نکاتی در مورد آزمون جاده
    قبولی در تست جاده
    معرفی مناسب ترین مناطقی که برای اسکان اولیه در شهر ساسکاتون توسط نیوکامرها و دوستان قدیمی تر معرفی شده اند.

    در حال حاضر این کتاب تنها بر روی کامپیوتر قابل اجرا است. برای اجرای کتاب به برنامه Adobe reader نیاز دارید. توجه داشته باشید که این برنامه باید برنامه PDF خوان پیش فرض نصب شده روی سیستم شما باشد.

آموزش MATLAB در مهندسی (مباحث ویژه)

  • جمعه 30 خرداد 1399
  • متلب (MATLAB) زبانی است که کاربرد کامپیوتر در مهندسی برق را با کارایی بالا تضمین کرده و امکانات محاسباتی، تصویری و برنامه نویسی را در محیطی آسان و آشنا فراهم می کند. کارایی متلب (MATLAB) در مقوله هایی نظیر محاسبات ریاضی، دسترسی به آنالیز داده ها، مدل سازی و شبیه سازی، گرافیک و تولید نرم افزار (حتی برای ویندوز) به اثبات رسیده است. متلب (MATLAB) جعبه ابزارهایی برای کاربردهای خاص در اختیار قرار می دهد، که از جمله ابزار ریاضیات، کنترل، شبکه های عصبی، بازرگانی و … می باشند.

    جعبه ابزارها با زبان متلب و به صورت مجموعه ای از ام فایل ها گسترش یافته اند و برای هر کاربر در زمینه تخصصی اش کاربرد و اهمیت زیاد دارند. متلب (MATLAB) امکان ساخت جعبه ابزارهای جدید و شخصی نیز برای کاربران پیشرفته فراهم کرده است. در این نرم افزار هر متغیر به عنوان یک ماتریس یا یک بردار (بردار ماتریس تک سطری یا تک ستونی است) شناخته می شود. لذا تعدادی مقدار را یکجا می توان به یک متغیر تک نام نسبت داد. این ابتکار ما را از مقدار دهی به و نمایش تک تک عناصر آرایه که در زبان برنامه نویسی انجام می شود بی نیاز می کند.

    در این کتاب آموزشی که در سه محور نگارش شده به موضوعات مختلفی چون کاربرد متلب در مهندسی و ریاضیات، جعبه ابزار سیمولینک و شبیه سازی با Fettoy پرداخته شده است. همچنین نکات ریزی که در نگارش پایان نامه و ویرایش نمودار ها مورد نیاز است به صورت کامل توضیح داده شده است. 

    فهرست مطالب:

    تعریف متغیر
    عملگرهای ریاضی در متلب
    عملیات ماتریسی مقدماتی
    دستور plot
    دستور Hold on
    دستور subplot
    تغییر نام محورها
    ویرایش نمودار
    Legend
    تعریف متغیر به صورت سمبلیک
    دستور ezplot
    برنامه نویسی در محیط m-file
    دستور zeros
    دستور Solve
    دستور dsolve
    نحوه نمایش اعداد
    دستور numstr
    دستورات شرطی
    دستور if
    دستور switch
    ماتریس ترانهاده
    دستور Linspace
    FDM
    دستورات حلقه
    دستور for
    دستور while
    دستورات max و min
    نکات تکمیلی
    روش ژاکوبی در حل دستگاه معادلات
    حل دستگاه به روش گوس-سیدل
    شرط های همگرایی برای روش‌های ژاکوبی و گوس سیدل
    شرط همگرایی روش گوس-سیدل
    حل دستگاه به روش حذفی گوس
    حل دستگاه به روش گوس جردن
    حل معادله دیفرانسیل با استفاده از روش تفاضل متناهی
    دستور isempty
    Fettoy
    انجام ویرایش روی نمودار جریان ترانزیستور
    ذخیره سازی یا کپی کردن نمودار
    شبیه سازی مدارهای الکترونیک قدرت در محیط sps (Sim Power System) با کمک سیمولینک
    یکسو ساز تمام موج پل دیودی
    یکسو سازی با تریستور

تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology

  • پنجشنبه 29 خرداد 1399
  • تکنولوژی SiGe - ترجمه فصل 5 کتاب VLSI Technology
    مفهوم مهندسی بندگپ در نیمه هادی های مرکب نظیر گالیم آرسناید (GaAs) و ایندیم فسفات (InP) بکار گرفته شده است، تا بتوان به دسته ای از افزاره های الکترونیکی نوین دست یافت. یک ترانزیستور مهندسی بندگپ شده از نظر ساختاری به گونه ای تغییر یافته تا بتوان استاندارد های بخصوصی از افزاره را بهبود داد (مانند سرعت). یک طراح ترانزیستور ممکن است که تصمیم به ساخت ترانزیستوری با بیس و کلکتوری از جنس GaAs ولی امیتری از جنس AlGaAs بگیرد. چنین افزاره ای دارای خصوصیات الکتریکی است که ذاتاً بسیار بهتر از آن چیزی است که می توان تنها با استفاده از یک نوع نیمه هادی دست یافت. همچنین برای ترکیب دو ماده متفاوت مهندسی بندگپ گاهاً شامل یک شیب ساختاری از ماده درون افزاره می شود. برای مثال: فردی ممکن است در نظر بگیرد که تابع مول  آلومینیوم موجود در یک ترانزیستور AlGaAs/GaAs را در طول امیتر از 0.4 تا 0.6 متغیر در نظر بگیرد. طراحان افزاره در این جست و جو بوده اند که تکنیک های مهندسی بندگپ مورد استفاده در تکنولوژی نیمه هادی هادی مرکب را با بلوغ ساخت، عملکرد بالا و هزینه پایین مربوط به سیلیکون معمول مورد استفاده در صنعت مدار مجتمع ترکیب کنند. آلیاژ سیلیکون – ژرمانیوم همبافته، پتانسیل قابل توجهی برای تحقق بخشیدن به ترانزیستور های مهندسی بندگپ شده در سیستم مواد سیلیکونی از خود نشان می دهد. اهمیت این موضوع از آن جهت است که می تواند این اجازه را به افزاره های سیلیکونی داد که عملکردی داشته باشند که زمانی تصور می شد غیر ممکن است. به این ترتیب تعداد مدارهای پربازده که از تکنولوژی سیلیکونی استفاده می کنند را نیز چند برابر کند. این فصل که به مرور پیشرفت های اخیر در تکنولوژی ترانزیستور های نا متجانس دو قطبی (HBT) یا اثر میدانی (HFet) از جنس SiGe می پردازد، بطور کامل در 16 صفحه به فارسی ترجمه شده است و در قالب ورد برای دانلود ارائه شده است. 

ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations

  • پنجشنبه 29 خرداد 1399
  • ترجمه مقاله Analytical and visual modeling of InGaN/GaN single quantum well laser based on rate equations
    An analytical, visual and open source model based on solving the rate equations for InGaN/GaN single quantum well (QW) lasers has been carried out. In the numerical computations, the fourth-order Runge–Kutta method has been used for solving the differential rate equations. The rate equations which have been considered in this simulation include the two level rate equations for the well and separate confinement heterostructure (SCH) layers. We present a new and inexpensive modeling method with analytical, visual and open source capabilities to investigate and comprehend the QW laser characteristics such as time behavior of carriers in SCHs and QW, photon density, output power and gain, and also the output power versus current which presents the threshold current of the laser. The characteristics of the QW lasers, which include laser time response (P–t), turn-on delay time of lasing and output power–current (P–I) characteristic and related features such as threshold current and slope efficiency have been investigated. Our model accurately computes the P–t and P–I characteristics such as turn-on delay time, threshold current and slope efficiency, and also illustrates the effects of parameters such as the injection current and geometry.

آشنایی با چند ماده با شکاف باند پهن

  • پنجشنبه 29 خرداد 1399
  • آشنایی با چند ماده با شکاف باند پهن
    مواد با شکاف باند پهن در 10 سال گذشته به دلیل کاربرد های الکترونیکی و اپتو الکترونیکی مورد توجه بسیاری قرار گرفته اند. دلیل این علاقه، خواص متفاوت مواد نسبت به سیلیکون است و بیشتر در الکترونیک کاربرد دارند. نیمه هادی های ترکیبی گروه 3 و 5 معمولاً دارای شکاف باندی در محدوده 1eV تا 6eV می باشند. این شکاف باند بسیار بزرگ برای دیودهای نوری (LED) طول موج کوتاه و برای کاربردهای الکترونیکی که توان بالا، ولتاژ شکست بالا و مقاومت در برابر درجه حرارت بالا مورد نیاز باشد مفید است. نیمه هادی های با شکاف باند پهن همچنین در فرکانس های رادیویی (RF) به دلیل انتقال سریع حاملشان به علت غلظت الکترونی ذاتی بالای آنها که 2DEG نامیده می شوند استفاده می شوند.
    این تحقیق که در 4 صفحه و در قالب فایل ورد فراهم شده بطور مختصر به معرفی موادی مانند InGaN ،InAlN ،AlGaN ،InN ،AlN ،GaN و SiC می پردازد. 

جزوه ریاضی 2 دکتر فتوحی

  • سه شنبه 27 خرداد 1399
  • جزوه ریاضی 2 استاد فتوحی
    ریاضی 2 یکی از دروس بسیار مهم و پایه ای می باشد که برای درک سایر دروس بسیار ضروری است. از آنجایی که وابستگی دروس برخی رشته ها از جمله برق به ریاضی بسیار بالاست در نتیجه به یک جزوه و کتاب خوب در این زمینه نیازمندیم که بتواند مطالب را به خوبی آموزش دهد. در این پست یک جزوه بسیار عالی در 351 صفحه جهت دانلود قرار داده شده و فهرست عناوین مندرج در آن به شرح زیر می باشد:

    تعریف اعداد حقیقی R - آشنایی با توابع چند متغیره و خواص -  جمع بردارها - ضرب اسکالر - دید هندسی - خواص جمع و ضرب اسکالر - تعریف طول بردار (فرم اقلیدسی) - روش تشخیص خطوط موازی -  خطوط متقاطع - تعریف زاویه - خواص ضرب داخلی - قضیه فیثاغورس - پیدا کردن فاصله یک نقطه تا خط - ضرب خارجی دو بردار - تعریف صفحه و نحوه نوشتن معادله جبری - صفحات متقاطع - پیدا کردن فاصله یک نقطه تا صفحه - فاصله دو خط متنافر - راستای عمود بر دو خط - جبر خطی - استقلال خطی - تعریف زیر فضا - تبدیل خطی – نگاشت - فضای پوچ - قضیه رتبه - زیرفضای مستوی - الگوریتم گرام اشمیت - عملگر تصویر بر صفحه - عملگر تصویر بر زیرفضای k بعدی - الگوریتم گرام اشمیت برای زیرفضای k بعدی – تعیین فاصله دو صفحه – دو صفحه متنافر – فاصله دو صفحه متنافر – دترمینان – خواص دترمینان – تعریف حجم – ماتریس ترانهاده – خمهای درجه 2 در صفحه – سطوح درجه 2 در فضا (حالت ساده، بیضی گون، هذلولی گون، مخروط، سهمی گون، سهمی هذلولی) – مقدار ویژه – بردار یکه – ماتریس قطری – ماتریس متقارن – توابع برداری و منحنی ها – فصل مشترک دو سطح – تعریف مشتق – خواص مشتق – طول خم – طول نمودار تابع مشتق پذیر – پرمایش بر حسب طول – مماس یکه – انحنا برحسب t – قضیه اساسی خم ها -  تساوی کوشی شوارتز – بردار قائم – تعریف انحنا – معادلات فرنه سره – تاب خم – مارپیچ – محاسبه انحنا و تاب برحسب زمان – توابع چند متغیره – تصویر تابع روی مجموعه های خاص – مجموعه های تراز – حد و پیوستگی – مشتق – مشتق جهت دار – مشتق جزئی – تقریب خطی تابع به کمک مشتق – محاسبه ماتریس مشتق – تابع مشتق پذیر – خواص مشتق – مشتقات مراتب بالاتر – قضیه جابجایی مشتق های جزیی – نظریه تقریب – تقریب خطی تیلور – چند جمله ای تیلور مرتبه 2 – بررسی سطوح تراز – گرادیان – تابع ضمنی – تابع وارون – مختصات قطبی در صفحه = مختصات کروی – مختصات استوانه ای – مسائل بهینه سازی – اکسترمم – نقاط بحرانی – نقاط مرزی – نقاط ماکسیمم و مینیمم – تابع لاگرانژین – کاربردهای مشتق (بهینه سازی) – انتگرال – انتگرال تابع دو متغیره – تقریب حجم زیر نمودار – انتگرال تابع سه متغیره – خواص انتگرال – قضیه مقدار میانگین – تعریف همبندی – محاسبه انتگرال – خاصیت فوبینی – انتگرال های مجازی – تابع بیکران و دامنه کران دار – تغییر متغیر در انتگرال – تغییر متخصات به قطبی – تغییر مختصات به استوانه ای – تغییر مختصات به کروی – مساحت رویه – مساحت سهمی گون هذلولی – رویه هموار – مساحت کره – انتگرال یک تابع روی رویه – انتگرال روی خم – مساحت جانبی تقاطع دو استوانه – میدان برداری – میدان گرادیان – قضیه گرین – تعریف شار – قضیه استوکس – قضیه دیورژانس

شبیه سازی مقاله IMPACT OF TUNNEL HETEROJUNCTION (InGaP/GaAs) DOPING CONCENTRATION ON THE PERFORMANCE OF InGaP/GaAs TONDEM SOLAR CELL USING SILVACO-ATLAS SOFTWARE

  • سه شنبه 27 خرداد 1399
  • شبیه سازی مقاله IMPACT OF TUNNEL HETEROJUNCTION (InGaP/GaA) DOPING CONCENTRTION ON THE PERFORMANCE OF InGaP/GaAs TONDEM SOLAR CELL USING SILVACO-ATL
    در این پست، شبیه سازی یک مقاله بسیار معتبر با عنوان IMPACT OF TUNNEL HETEROJUNCTION (InGaP/GaA) DOPING CONCENTRTION ON THE PERFORMANCE OF InGaP/GaAs TONDEM SOLAR CELL USING SILVACO-ATLAS SOFTWARE که اخیراً در سال 2019 به چاپ رسیده ارائه شده است. 
    در این پژوهش تأثیر دوپینگ ناحیه تونلی ناهمگن در سلولهای خورشیدی تاندم بررسی شده است. پیوند تونلی (InGaP/GaAs) برای سلولهای خورشیدی چند پیوند (InGaP/GaAs) جهت تعیین عملکرد الکتریکی آنها به عنوان تابعی از غلظت دوپینگ تونل مورد مطالعه قرار گرفته است. در این مقاله، طراحی سلول خورشیدی InGaP/GaAs با استفاده از پیوند تونلی ناهمگونی با غلظت آلایش p--InGaP متفاوت گزارش شده و این میزان غلظت در محدوده e19-e20 می باشد. نتایج این تحقیق نشان داده که غلظت آلایش n-InGaP بر راندمان تبدیل، تراکم جریان اتصال کوتاه و ولتاژ مدار باز تأثیر دارد.
    پس از انجام شبیه سازی ها، مقادیر 
    Jsc=1.47026e-010 
    Voc=2.42184 
    FF=91.4446 
    Eff=23.8509 
    بدست آمده اند که نتایجی مشابه آنچه در مقاله درج شده است را نشان می دهند. 

شبیه سازی مقاله Design and optimization of ARC less InGaP-GaAs single--multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers

  • دوشنبه 26 خرداد 1399
  • شبیه سازی مقاله Design and optimization of ARC less InGaP/GaAs single-/multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers
    در عصر حاضر، استفاده از انرژی های نو علی الخصوص انرژی خورشیدی، به طور چشم گیری افزایش یافته است. از آنجا که انجام آزمایشات لازم در خصوص بهبود و بهینه سازی سلول های خورشیدی بسیار پر هزینه اند، قبل از انجام این آزمایشات از شبیه سازی های کامپیوتری جهت رسیدن به بازده بالاتر استفاده می شود. زیرا این روش بسیار کم هزینه تر بوده و در وقت و انرژی نیز صرفه جویی می شود. نرم افزار سیلواکو یکی از نرم افزارهای بسیار عالی برای شبیه سازی این نوع از ادوات می باشد. 
    شبیه سازی سلول خورشیدی در سیلواکو، نیازمند انجام تحلیل­ های الکتریکی و نوری مختلفی است و این نرم افزار به دلیل دارا بودن کتابخانه ای قدرتمند از مواد و مدلهای الکتریکی و نوری، به طور خاص برای انجام این کار استفاده می شود. 
    در صورتیکه یک نیمه هادی نوع  n در کنار نیمه هادی دیگری از نوع p قرار گیرد؛ یک پیوند p-n تشکیل می شود و الکترونهای سمت n  به سمت p رفته و حفره‌ها نیز در جهت عکس حرکت الکترون‌ها حرکت می کنند. در این میان، در ناحیه مرزی این دو نیمه هادی، ناحیه تخلیه به وجود می آید. این ناحیه خالی از هر نوع حاملی است. در این حالت در لبه مرز در سمت نیمه هادی نوع n، اتم‌ها الکترون‌های خود را از دست داده‌اند و یون‌های مثبت تشکیل شده است. در سمت p نیز با انتقال حفره‌ها، یون‌های منفی به جا مانده‌اند، بنابراین یک میدان الکتریکی بین یون‌های مثبت و منفی بوجود می‌آید. بزرگتر شدن این ناحیه در اثر عوامل مختلف، مانع از انتقال بیشتر حامل‌های جریان می‌شود. 
    در این پست شبیه سازی یک مقاله با عنوان Design and optimization of ARC less InGaP/GaAs single-/multi-junction solar cells with tunnel junction and back surface field layers که در سال 2018 در ژورنال Superlattices and Microstructures که یک ژورنال بسیار معتبر در زمینه ادوات نوری و الکتریکی می باشد ارائه شده است. نتایج شبیه سازی های انجام شده بسیار مشابه آنچه در مقاله ذکر شده اند می باشند و از دقت بسیار بالایی برخوردارند. نتایج بدست آمده به شرح زیر می باشند:
    InGaP SJSC
    ---------------------------
    JscmAcm2=20.1579 
    Voc=1.41568 
    FF=84.8897 
    Eff=17.7449 

    GaAs SJSC
    ---------------------------
    JscmAcm2=34.2686 
    Voc=1.02644 
    FF=88.2007 
    Eff=22.7253 

    InGaP/GaAs DJSC
    ---------------------------
    JscmAcm2=14.1974 
    Voc=2.42066 
    FF=91.5219 
    Eff=23.0396 

    TJ=InGaP
    ---------------------------
    JscmAcm2=15.8448 
    Voc=2.42361 
    FF=91.1076 
    Eff=25.6278 

    TJ=GaAs
    ---------------------------
    JscmAcm2=14.1974 
    Voc=2.42066 
    FF=91.5219 
    Eff=23.0396 

    TJ=AlGaAs
    ---------------------------
    JscmAcm2=15.4834 
    Voc=2.42305 
    FF=91.2129 
    Eff=25.0664 

    TJ=---
    ---------------------------
    JscmAcm2=19.2805 
    Voc=1.17547 
    FF=74.7739 
    Eff=12.4133 

    BSF=AlInGaP
    ---------------------------
    JscmAcm2=20.77 
    Voc=2.43073 
    FF=86.5752 
    Eff=32.0165 

شبیه سازی مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction در silvaco

  • دوشنبه 26 خرداد 1399
  • شبیه سازی مقاله Optimum Design of ARC-less InGaP/GaAs DJ Solar Cell with Hetero Tunnel Junction در silvaco
    در این پژوهش از یک دیود تونلی In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3 استفاده شده و با کمک یک رویکرد بهینه سازی لایه BSF، یک سلول خورشیدی دو پیوند InGaP/GaAs توسعه یافته است. نتایج نشان می دهند که دیود تونلی In0.49Ga0.51P–Al0.7Ga0.3 انتقال الکترونها و حفره های بیشتری را نشان می دهد و منجر به بازترکیب کمتری بین سلول های بالا و پایین شده و راندمان سلول خورشیدی دو پیوند را افزایش می دهد. برای دستیابی به ولتاژ مدار باز (VOC) بالاتر، از نیمه هادی GaAs برای تطبیق با Al0.52In0.48P با شکاف باند 2.4eV استفاده شده است. این ماده در سلول پایینی به کار گرفته شده و عملکرد هتروجانکشن Al0.52In0.48P–GaAs منجر به افزایش نرخ تولید نوری افزاره در این ناحیه شده است. ساختار پیشنهادی تحت تابش AM1.5G در سیلواکو (Silvaco) شبیه سازی شده و نتایج بدست آمده به صورت زیر می باشند: 

    JscmAcm2=31.8491 
    Voc=2.52557 
    FF=86.291 
    Eff=66.3189 

    همچنین در این شبیه سازی نمودارهای شکاف باند، طیف AM1.5G، مش بندی، ساختار، نرخ تولید نوری و نمودارهای جریان - ولتاژ بدست آمده اند. 

PROJECTS

شبیه سازی با سیلواکو

  • چهارشنبه 26 مرداد 1396
  • silvaco simulation - شبیه سازی سیلواکو
  • اکثرا دانشجویان در انجام شبیه سازی پروژه سیلواکو با مشکل مواجه هستند و به دنبال یک مکان مطمئن جهت انجام این پروژه ها می باشند.
    مهندس 360 با داشتن برترین برنامه نویسان ایران آمادگی دارد انجام پروژه های شبیه سازی با نرم افزار سیلواکو Silvaco را با بهترین کیفیت انجام داده و در اختیار شما عزیزان قرار دهد.
  • نحوه سفارش پروژه: برای سفارش انجام پروژه های سیلواکو Silvaco می توانید از طریق شماره تماس 09377750859 اقدام نمایید. کارشناسان ما در کمترین زمان ممکن پروژه شما را بررسی کرده و خدمت شما اطلاع خواهند داد.
  • زمان انجام پروژه: زمان انجام پروژه های سیلواکو Silvaco با توجه به زمانی که مشتری تعیین میکند انجام میشود و سعی بر این بوده که در کوتاه ترین زمان ممکن پروژه خود را دریافت کنید

HELP

راهنمای دانلود از سایت

  • چهارشنبه 26 مرداد 1396
  • این صفحه در حال ساخت می باشد
  • این صفحه در حال ساخت می باشد.

CONTACT US

درباره ما

  • آمار مخاطبان صفحه رسمی سایت «مهندس 360» از مرز هفتصد هزار فراتر رفت. صفحه این سایت در اینستاگرام، فیسبوک، توییتر، گوگل پلاس و کلوب دات کام فعالیت خود را به طور رسمی آغاز نموده است.
  • در طول مدت راه اندازی سایت مهندس 360، مطالب آموزشی بسیار زیادی جهت استفاده شما دانشجویان و دانش آموزان گرامی به اشتراک گذاشته شده است. بخش هایی نظیر دانلود کتاب، جزوه، آموزش برنامه نویسی، آموزش نرم افزار و... تنها بخشی از مطالبی است که تاکنون با استقبال شما کاربران گرامی مواجه شده است.
  • صفحات رسمی ما در شبکه های اجتماعی مختلف جهت رفاه حال شما کاربران عزیز فعالیت دارند و انتشار مطالب سایت از این شبکه ها نیز انجام می شود. این اتفاق بدون همراهی شما ممکن نبود و با دلگرمی به این حضور، وظایفی که بر دوش این مجموعه است انجام خواهد شد.

تماس با ما

Contact Us extended form
تعویض عبارت تصویری
عبارت تصویر:
شبکه اجتماعی فارسی کلوب | Buy Website Traffic | Buy Targeted Website Traffic